提供一种化合物半导体器件、制造所述器件的方法以及电气器件，所述化合物半导体器件包括：化合物半导体多层结构；所述化合物半导体多层结构上的栅极绝缘膜；以及栅电极，其中所述栅电极包括所述栅极绝缘膜上的栅极基部和栅极伞部，并且所述栅极伞部的表面包括与所述化合物半导体多层结构的肖特基接触。