本发明提供了一种功率半导体器件及其制造方法，该方法包括：提供N型掺杂的半导体衬底，其晶向为100；在半导体衬底的正面生长纵向掺杂均匀的第一外延层，其掺杂类型和掺杂浓度与半导体衬底相同；在第一外延层上生长第二外延层，其掺杂类型与第一外延层相同，掺杂浓度低于第一外延层；在第二外延层上形成IGBT器件的基区、发射区、栅介质层和栅极结构；从背面对半导体衬底进行减薄，至保留的半导体衬底达到预设厚度，保留的半导体衬底和第一外延层共同作为所述IGBT器件的场截止区；从背面对所述场截止区进行离子注入，以在其中形成P型掺杂的集电区。本发明有利于降低IGBT器件的场截止区的制造难度，并能够避免碎片率高等问题。