本发明提供一种半导体器件及制造方法，通过首先在硅衬底中形成沟槽，在沟槽侧壁形成遮挡层后，继续增加沟槽深度以暴露部分硅衬底，然后在热氧化过程中使暴露部分的硅衬底形成氧化硅层，之后去除氧化硅层后，在硅衬底中形成凹池，而位于凹池上方未被去除的硅材质则形成跨设于的凹池上方的搭桥结构。本发明所述半导体器件能够在硅材质的搭桥结构上形成半导体纳米线晶体管结构，代替现有技术的绝缘体上硅结构，并且通过控制氧化过程中的工艺条件能够良好地控制搭桥结构的尺寸，为后续形成的半导体纳米线晶体管结构提供精确的尺寸控制。