本发明提供能够实现高温环境下绝缘耐压和可靠性的提高的功率半导体器件的制造方法。通过组合氧等离子体表面处理工序（工序5）和硅胶注入前的预备加热工序（工序6），能够提高硅胶（9）（保护材料）与带导电图案的绝缘基板（1）及半导体芯片（2）的密合性，实现高温环境下功率半导体器件的绝缘耐压和可靠性的提高。