本发明涉及半导体领域，公开了一种半导体器件及其制备方法。本发明中，通过在晶体管的源极和漏极形成金属半导体化合物接触区，同时在对应位置上的绝缘介质层中形成的通孔内，形成金属半导体化合物，将源极和漏极引出。由于金属半导体化合物的电阻率较低，因此可以使得通孔内的物质本身的电阻尽量小；而且，由于通孔内的填充材料与源极和漏极接触区的材料均为金属半导体化合物，因此可以使通孔内物质与源极和漏极接触区之间的接触电阻尽量小。此外，由于通孔内填充的是金属半导体化合物，使得通孔内的导电材料与绝缘介质层的材料之间具有良好的界面和粘附性，又不破坏介质层材料的结构，因此也无需在通孔内的填充材料和绝缘介质层之间形成阻挡层。