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碳化硅半导体器件
编号:S000018452 刷新日期: 有效日期至:2020-11-17 浏览:2405 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:技术转让
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明涉及一种碳化硅半导体器件。在碳化硅半导体器件中,多个沟槽(7)具有一个方向上的纵向方向并且以条纹图案布置。每个所述沟槽(7)均具有在所述纵向方向上延伸的第一侧壁和第二侧壁。所述第一侧壁与(11-20)平面和(1-100)平面中的一个平面成第一锐角,所述第二侧壁与(11-20)平面和(1-100)平面的所述一个平面成第二锐角,并且所述第一锐角小于所述第二锐角。第一导电类型区(5)仅与每个所述沟槽(7)的所述第一侧壁和所述第二侧壁中的所述第一侧壁接触,并且电流通路仅形成在所述第一侧壁和所述第二侧壁中的所述第一侧壁上。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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