本发明公开了一种形成III/V族半导体材料的方法及用该方法形成的半导体结构。形成三元III族-氮化物材料的方法包括在腔室内在衬底上外延生长三元III族-氮化物材料。外延生长包括在腔室内提供气体前体混合物，其包括腔室内氮前体分压与一个或者多个III族前体的分压的相对较高的比率。至少部分由于具有相对高的比率，所以可以将三元III族-氮化物材料层生长到较高的最终厚度，而在其中具有较小的V凹坑缺陷。使用这样方法来制造包括这样的三元III族-氮化物材料层的半导体结构。