本发明涉及一种HTHP合成半导体人造金刚石的方法。该方法是以单质硼为人造金刚石改性元素，以FeNiCo合金粉和高纯石墨粉为原材料，经混合、冷等静压、破碎、成型、真空高温焙烧、整形等工序制备合成半导体人造金刚石用石墨柱，再与叶腊石模、钢杯、氧化镁杯、石墨片、导电钢帽等附件组装，利用六面顶液压机以HTHP方式使石墨转化为半导体人造金刚石，再经化学处理即可得出优质半导体人造金刚石。本发明方法能通过调节原材料不同配比方式自由调控半导体人造金刚石电阻率，产量高，制备出的半导体人造金刚石比普通人造金刚石更耐高温，化学惰性更好，自锐性强。