本发明提供一种提高了耐压的半导体装置及其制造方法。第1半导体层具有多个第1扩散层。第2半导体层具有多个第2扩散层。第3半导体层具有多个第3扩散层。多个第1扩散层的第1方向的宽度相互相同。多个第1扩散层内的杂质量随着从第1半导体层的下端向上端而逐渐变大。多个第2扩散层的第1方向的宽度相互相同。多个第2扩散层内的杂质量相互相同。多个第3扩散层的第1方向的宽度比处于同一层的第1扩散层的第1方向的宽度以及第2扩散层的第1方向的宽度窄，并且随着从第3半导体层的下端向上端而逐渐变窄。多个第3扩散层内的杂质量相互相同。