一种半导体组件包括半导体本体、半导体本体中的第一导电类型的第一发射极区域、在半导体本体的垂直方向与第一发射极区域相距一定距离布置的第二导电类型的第二发射极区域、布置在第一和第二发射极区域之间且具有比第一和第二发射极区域低的掺杂浓度的第一和第二导电类型其中之一的基极区域、布置在基极区域中与基极区域相同导电类型的第一场停止区以及布置在基极区域中与基极区域相同导电类型的第二场停止区。该第二场停止区在半导体的垂直方向与第一场停止相距一定距离布置，该第一场停止区布置在第二场停止区和第二发射极区之间，且该第二场停止区包括在半导体本体的至少一个水平方向彼此相距一定距离布置的多个场停止区部分。