本发明涉及半导体晶片表面保护用胶带及半导体晶片的制造方法，其中，所述半导体晶片表面保护用胶带在基材膜上至少具有1层放射线固化型粘合剂层，下述的固化收缩值S为0.3～1.8，相对于不锈钢研磨面的放射线照射前的粘合力A为1.5N/25mm～20N/25mm、并且放射线照射后的粘合力B为0.01N/25mm～1.5N/25mm，在所述半导体晶片的半导体晶片表面保护用胶带的贴合面侧的表面上存在的凹凸的顶部的高度与底部的高度的最大差为10μm～300μm，所述放射线固化型粘合剂层的厚度为1μm～30μm。