本发明涉及化合物半导体器件及其制造方法。一种化合物半导体器件的实施方案，包括：衬底；形成于衬底之上的电子沟道层和电子供给层；形成于电子供给层上或者上方的栅电极、源电极和漏电极；以及形成于电子供给层和栅电极之间的p型半导体层。该p型半导体层包含与包含在电子沟道层和电子供给层中的至少任一层中的元素相同的元素作为p型杂质。