本发明涉及化合物半导体器件及其制造方法以及电源，所述化合物半导体器件包括：衬底；形成在衬底上的第一化合物半导体层；形成在第一化合物半导体层上的第二化合物半导体层；以及形成在第一化合物半导体层上的上电极，其中在第一化合物半导体层的位于第一化合物半导体层与第二化合物半导体层之间的界面处的区域中产生二维空穴气，以使得具有随着距上电极的距离增加而降低的空穴浓度。