本发明公开了具有硫族元素掺杂区域的衬底和半导体器件。通过在未掺杂半导体衬底的一侧施加应力以释放衬底中的自间隙以及将硫族元素原子注入衬底的该侧从而对未掺杂半导体衬底进行掺杂。对该衬底进行退火，从而形成含有硫族元素原子的第一半导体区域以及没有硫族元素原子的第二半导体区域。第一半导体区域的掺杂浓度高于第二半导体区域的掺杂浓度。在存在自间隙的情况下，硫族元素原子内扩散至半导体材料还可用于形成功率半导体器件中的场终止区域。