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半导体结构的形成方法
编号:S000018418 刷新日期: 有效日期至:2020-11-01 浏览:2448 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:科技服务
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
一种半导体结构的形成方法,包括:提供基底,所述基底表面具有待刻蚀层;在所述待刻蚀层表面形成掩膜层,所述掩膜层暴露出部分待刻蚀层表面;以所述掩膜层为掩膜,对所述待刻蚀层进行等离子体刻蚀,在所述待刻蚀层内形成开口,所述等离子体刻蚀的偏置射频功率源输出的射频信号为脉冲信号,所述脉冲信号的占空比随刻蚀深度的增加而减小,当偏置射频功率源打开时,刻蚀部分待刻蚀层并形成刻蚀口,且所述刻蚀口内具有刻蚀副产物,当偏置射频功率源关闭时,所述刻蚀副产物扩散出所述刻蚀口。采用所述等离子体刻蚀工艺所形成的开口尺寸精确均匀,且形成所述开口的刻蚀速率高。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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