本申请公开了一种半导体存储器件及其访问方法，包括存储晶体管、第一控制晶体管、第二控制晶体管，其中，第一控制晶体管的源极和栅极分别与第一位线和第一字线相连接，第二控制晶体管的漏极和栅极分别与第二字线和第二位线相连接，存储晶体管的栅极与第一控制晶体管的漏极相连接，存储晶体管的漏极与第二控制晶体管的源极相连接，存储晶体管的源极与地相连接，并且，存储晶体管具有栅控记忆特性。该半导体存储器件提高了集成度并减少了刷新操作的频率。