本发明涉及一种半导体元器件，具有半导体主体，该半导体具有第一侧和与第一侧相对的第二侧。在半导体主体中，由氧-复合体组成的掺杂材料构成掺杂材料区域。该掺杂材料区域沿着从第一侧向第二侧的方向延伸经过长度至少为10μm的部段L。经过该部段L的掺杂材料区域具有从1x10¹⁷cm^-3至5x10¹⁷cm^-3的氧浓度。