根据本发明，获得能够使半导体激光器部的振荡光的横模稳定化、并且防止频率特性的劣化的光半导体装置及其制造方法。在n-InP衬底(1)上集成有半导体激光器部(2)和光调制器部(3)。光调制器部(3)将从半导体激光器部(2)出射的光调制。半导体激光器部(2)具有垂直脊(4)，光调制器部(3)具有倒台面脊(5)。这样由光调制器部(3)和半导体激光器部(2)来改变脊型结构，能够使半导体激光器部(2)的振荡光的横模稳定化，并且防止频率特性的劣化。