本发明涉及集成电路设计领域。本发明公开了一种金属氧化物半导体晶体管基准电压源，其电路结构包括：8个NMOS管（MN1～MN8）和14个PMOS管（MP1～MP14），整个电路中没有电阻和BJT。本发明利用正温度系数电压和阈值电压的叠加，产生基准电压。通过选择合适的金属氧化物半导体晶体管结构尺寸，降低基准电压的温度系数。本发明无需双极性晶体管和电阻等器件，具有结构简单、功耗较小，节约芯片面积，与CMOS工艺完全兼容的优点。本发明减小了衬底噪声耦合的影响，并且由于部分支路工作在亚阈值工作区，减小了功耗。