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金属氧化物半导体晶体管基准电压源
编号:S000018372 刷新日期: 有效日期至:2020-12-29 浏览:2418 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 四川 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:合作研发
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明涉及集成电路设计领域。本发明公开了一种金属氧化物半导体晶体管基准电压源,其电路结构包括:8个NMOS管(MN1~MN8)和14个PMOS管(MP1~MP14),整个电路中没有电阻和BJT。本发明利用正温度系数电压和阈值电压的叠加,产生基准电压。通过选择合适的金属氧化物半导体晶体管结构尺寸,降低基准电压的温度系数。本发明无需双极性晶体管和电阻等器件,具有结构简单、功耗较小,节约芯片面积,与CMOS工艺完全兼容的优点。本发明减小了衬底噪声耦合的影响,并且由于部分支路工作在亚阈值工作区,减小了功耗。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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