本技术方案涉及一种半导体器件的制造方法，包括：在衬底上形成绝缘层；在所述绝缘层中形成凹部；在所述绝缘层上形成掩模图案，所述掩模图案具有暴露所述凹部的第一开口，以及设置在所述第一开口的外部并且不暴露所述凹部的第二开口；通过分别在所述第一开口和所述第二开口中沉积导电材料形成第一导电部件和第二导电部件；以及抛光和去除所述绝缘层上侧上的所述第一导电部件和所述第二导电部件以便留下所述凹部中的所述第一导电部件。本技术方案能够形成具有最佳形状的重布线层。