本发明涉及用于半导体装置中的衬垫下电路的衬垫设计。半导体装置的实施例包含半导体衬底及安置在所述半导体衬底内的腔，所述腔至少从所述半导体衬底的第一侧延伸到所述半导体衬底的第二侧。所述半导体装置还包含绝缘层，所述绝缘层安置在所述半导体衬底的所述第一侧上且涂覆所述腔的侧壁。包含接合衬垫的导电层安置在所述绝缘层上。所述导电层延伸到所述腔内且连接到安置在所述半导体衬底的所述第二侧下方的金属堆叠。穿硅通孔衬垫安置在所述半导体衬底的所述第二侧下方且连接到所述金属堆叠。所述穿硅通孔衬垫经定位以接受穿硅通孔。