提供了方法和器件，包括设置在衬底上方的多个不同配置的栅极结构。例如，第一栅极结构与第一类型的晶体管相关联，并且包括第一介电层和第一金属层；第二栅极结构与第二类型的晶体管相关联，并且包括第二介电层、第二金属层、多晶硅层、第一介电层和第一金属层；以及伪栅极结构，包括第一介电层和第一金属层。本发明还提供了金属栅极半导体器件。