一种氮化物半导体发光装置，其具备：氮化物半导体发光元件(3)；保持氮化物半导体发光元件(3)且以第一金属为主成分的基台(11)；固着于基台(11)的帽(30)；形成于基台(11)的开口部(11c)；通过开口部(11c)的引针(14a、14b)，并且，引针(14a、14b)以从该引针(14a、14b)侧顺次将绝缘构件(18a、18b)和缓冲构件(20a，20b)夹在该引针(14a、14b)与开口部(11c)的内壁之间的方式被固定于开口部(11c)的内壁，绝缘构件(18a、18b)成分中含有硅氧化物。缓冲构件(20a、20b)由比第一金属的标准氧化还原电位小的第二金属或含有该第二金属的合金构成。