本发明公开了一种半导体器件制造方法，包括步骤：在衬底中形成第一浅沟槽隔离；在第一浅沟槽隔离包围的有源区内形成半导体器件结构；去除第一浅沟槽隔离，在衬底中留下浅沟槽；在浅沟槽中填充绝缘材料，形成第二浅沟槽隔离。依照本发明的半导体器件制造方法，形成高应力浅沟槽隔离之后，通过刻蚀去除然而再回填高应力浅沟槽隔离，使得高应力由栅极记忆而增强了沟道区应力，从而提高了未来沟道区的载流子迁移率，提高了器件性能。