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> 技术详情
一种半导体激光器
编号:S000018344
刷新日期:
有效日期至:
2020-12-31
浏览:
2424
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 - 陕西
技术领域:
智能制造 - 装备制造业
转让类型:
技术转让
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
本发明公开了一种半导体激光器,包括衬底以及依次层叠设置于所述衬底上的缓冲层、N型下限制层、下波导层、量子阱层、上波导层、P型上限制层、过渡层以及电极接触层,所述上波导层和所述下波导层均为铝镓铟磷材料,激射波长在630nm~640nm,且所述上波导层的材料组分为Al
x1
Ga
y1
In
0.49
P,所述下波导层的材料组分为Al
x2
Ga
y2
In
0.49
P,其中x1>x2,y1
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No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
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认证方式:
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