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> 技术详情
一种半导体激光器
编号：S000018344
刷新日期：
有效日期至：
2020-12-31
浏览：
2042
次
对接邀请：
0
次
意向价格：
面议
所在区域：
中国 - 陕西
技术领域：
智能制造 - 装备制造业
转让类型：
技术转让
专利类型：
发明专利
技术成熟度：
可以量产
供应描述
本发明公开了一种半导体激光器，包括衬底以及依次层叠设置于所述衬底上的缓冲层、N型下限制层、下波导层、量子阱层、上波导层、P型上限制层、过渡层以及电极接触层，所述上波导层和所述下波导层均为铝镓铟磷材料，激射波长在630nm～640nm，且所述上波导层的材料组分为Al
x1
Ga
y1
In
0.49
P，所述下波导层的材料组分为Al
x2
Ga
y2
In
0.49
P，其中x1>x2，y1
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机构地址：
No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
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认证方式：
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