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半导体器件制造方法
编号:S000018339 刷新日期: 有效日期至:2020-10-09 浏览:2198 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:科技服务
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明公开了一种半导体器件制造方法。在所述半导体器件制造方法中,在半导体衬底(3)的前表面(3a)上形成绝缘层(6)。通过使用所述绝缘层(6)作为掩模来在所述衬底(3)中形成沟槽(8),以使得所述绝缘层(6)的第一部分(6a)位于所述沟槽(8)之间的所述前表面(3a)上,并且使得所述绝缘层(6)的第二部分(6b)位于除了所述沟槽(8)之间以外的位置处的所述前表面(3a)上。去除整个所述第一部分(6a),并去除每个沟槽(8)的开口周围的所述第二部分(6b)。通过在所述前表面(3a)侧上外延生长外延层(9),而利用所述外延层(9)填充所述沟槽(8)。通过使用剩余的所述第二部分(6b)作为抛光停止部,而对所述前表面(3a)侧进行抛光。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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