本发明公开了一种半导体器件，器件的漂移区中包括一掺杂浓度为缓慢增加的缓变区，缓变区位于硅片的背面一侧且缓变区的掺杂浓度大于均匀区的掺杂浓度。较高掺杂的缓变区能保证器件得到较低的导通电阻，同时，缓变区的掺杂浓度的增加速率得到了良好的控制，能消除现有场阻断型半导体器件中存在的场阻断层中的内建电场较大的缺陷，从而能使器件在关断时的电流下降速度得到有效控制，能提高器件的可靠性。本发明还公开了一种半导体器件的制造方法。