半导体区域在平行pn层中交替排列，在所述平行pn层中，n型区和p型区沿与半导体基板的主面平行的方向交替排列。边缘终止区中的第二平行pn层（微细SJ单元（12E））的n漂移区（12c）与p分隔区（12d）之间的间距是活性区域中的第一平行pn层（主SJ单元（12））的n漂移区（12a）与p分隔区（12b）之间的间距的三分之二。在俯视下具有矩形形状的半导体基板的四个角上的主SJ单元（12）与微细SJ单元（12E）之间的边界上，主SJ单元（12）的两个相邻端部与微细SJ单元（12E）的三个相邻端部相对。由此，能减小工艺偏差的影响，并能减少微细SJ单元（12E）的n漂移区（12c）与p分隔区（12d）之间的相互扩散。