本发明公开了一种半导体结构，包含有一半导体基底，其上具有多个深沟渠及位在所述多个深沟之间的多个柱体结构，其中各所述柱体结构包含一上部及一下部；一掺杂区，位于各所述柱体结构的下部；以及一扩散阻障层，位于所述下部的一侧壁上。