一种半导体器件及其形成方法，其中，所述半导体器件的形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面覆盖有第一绝缘层，所述第一绝缘层表面具有鳍部；形成覆盖所述鳍部侧壁的全耗尽半导体层，所述全耗尽半导体层的材料不同于所述鳍部的材料；形成第二绝缘层，所述第二绝缘层暴露出鳍部顶部和全耗尽半导体层顶部；去除所述鳍部，形成暴露出所述全耗尽半导体层侧壁的开口；形成位于所述第二绝缘层表面的掩膜层，所述掩膜层定义出栅介质层和栅电极层的位置；以所述掩膜层为掩膜，在所述开口内形成位于所述全耗尽半导体层侧壁的栅介质层；在形成栅介质层后形成覆盖所述栅介质层的栅电极层。本发明实施例形成的半导体器件稳定性好。