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半导体器件的清洁方法
编号:S000018327 刷新日期: 有效日期至:2020-11-05 浏览:2268 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:合作研发
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明提供了一种方法,包括提供室,室具有第一入口和第二入口。将去离子(DI)水和酸(如,稀酸)的溶液通过第一入口提供到室。将载气(如,N2)通过第二入口提供到室。溶液和载气在室中,然后从室到达单个半导体晶圆上。在实施例中,溶液包括稀HCl和DI水。本发明还提供了一种半导体器件的清洁方法。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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