本发明公开一种绝缘栅型半导体装置。将MOSFET的栅极电极从基板周围引出的栅极引出线的引出部成为不能够配置以与元件区域内的效率相同地发挥作用的MOSFET晶体管单元。即，如果将栅极引出线例如沿着芯片的四边配置，则非工作区域增加，因此，扩大元件区域的面积和缩小芯片面积受到制约。在所述绝缘栅型半导体装置中，将栅极引出线和连接栅极引出线与保护二极管的导电体沿着芯片的同一边配置为不弯曲的直线状。并且，在栅极引出线和导电体的上部重叠并延伸且将保护二极管连接于栅极引出线和导电体的第一栅极层的弯曲部设为零或一个。而且，将保护二极管与导电体或栅极引出线邻接配置，并将保护二极管的一部分与栅极焊盘部靠近配置。