本发明提供一种氮化物半导体结构的制造方法。在形成第三氮化物半导体基础层的工序中，第三氮化物半导体基础层生长时单位时间所提供的V族原料气的摩尔量与单位时间所提供的III族原料气的摩尔量之比即V/III比为700以下，第三氮化物半导体基础层生长时的压力为26.6kPa以上，第三氮化物半导体基础层的生长速度为2.5μm/h以上。