本发明提供层叠型半导体装置及其制造方法。实施方式的层叠型半导体装置具备：具有第1凸起电极的第1半导体芯片；具有第2凸起电极的第2半导体芯片。一边将凸起电极彼此连接，一边层叠第1及第2半导体芯片。在第1及第2半导体芯片的至少一方，设置阻挡用突起和粘接用突起。阻挡用突起与第1及第2半导体芯片的另一方以非粘接状态接触。粘接用突起与第1及第2半导体芯片粘接。