本发明公开了一种防止金属迁移的半导体发光器件，其包括由n型半导体层、发光层、p型半导体层构成的多层发光结构；反射层形成于所述P型半导体层上，含有易迁移金属；阱环结构，形成于所述P型半导体层，并包围所述反射层，防止反射层的金属向侧壁迁移；金属覆盖层，覆盖所述反射层，并向所述阱环结构延伸，与阱环外的P型半导体形成良好欧姆接触。在本发明中在p型半导体层形成阱环结构，其包围反射层，从而在反射层外围形成“钉扎”效果，阻止反射层金属沿着反射层与P型半导体的接触面向器件边缘迁移，提高了器件的可靠性。