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半导体装置及其制造方法以及电源
编号:S000018309 刷新日期: 有效日期至:2020-09-28 浏览:2066 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:技术转让
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明涉及一种半导体装置、一种用于制造半导体装置的方法以及一种电源。本发明的半导体装置包括:半导体芯片,包括氮化物半导体分层结构,该氮化物半导体分层结构包括载流子输运层和载流子供给层;覆盖在半导体芯片的表面上的第一树脂层,该第一树脂层包括偶联剂;覆盖在第一树脂层的表面上的第二树脂层,该第二树脂层包括表面活性剂;以及密封树脂层,用于利用第一树脂层和第二树脂层对半导体芯片进行密封。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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