一种半导体结构的刻蚀方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有待刻蚀材料层；在所述待刻蚀材料层表面形成掩膜层；以所述掩膜层为掩膜，对所述待刻蚀材料层进行刻蚀工艺，通入反应气体后，射频功率源以第一脉冲的方式输出射频功率，偏置功率源以第二脉冲的方式输出偏置功率，且所述第一脉冲和第二脉冲的脉冲频率不同。不仅刻蚀速率较快，且通过调控所述射频功率源和偏置功率源之间的脉冲频率比例，可以调整刻蚀的工艺窗口大小和刻蚀速率随时间的分布。