本发明涉及半导体器件、电子器件以及半导体器件制造方法。所述半导体器件包括：连接构件，该连接构件包括形成在连接构件的主表面上的第一焊垫；半导体芯片，该半导体芯片包括其上形成第二焊垫的电路形成表面，该芯片安装在连接构件上使得电路形成表面面向主表面；以及钎料凸块，该钎料凸块连接第一焊垫和第二焊垫并且由包含Bi和Sn的金属制成，其中该块包括形成为靠近第二焊垫的第一界面层、形成为靠近第一焊垫的第二界面层、形成为靠近界面层中的任一个的第一中间区域，以及形成为靠近界面层中的另一个并且形成为靠近第一中间区域的第二中间区域；在第一中间区域中，Bi浓度高于Sn浓度；而在第二中间区域中，Sn浓度高于Bi浓度。