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半导体器件和用于制造半导体器件的方法
编号:S000018295
刷新日期:
有效日期至:
2020-11-12
浏览:
2683
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 -
技术领域:
智能制造 - 装备制造业
转让类型:
科技服务
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
本发明提供了一种制造集成电路的方法,并且更具体地制造具有金属合金的半导体器件的方法。半导体器件的示例结构包括具有第一触点的第一硅衬底,该第一触点包括在该衬底和第一金属层之间的硅化物层;具有第二触点的第二硅衬底,该第二触点包括第二金属层;以及在第一触点的第一金属层和第二触点的第二金属层之间的金属合金。
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No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
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