本发明提供一种半导体结构的形成方法，包括：半导体衬底的空腔区内开设多个凹槽，以热氧化工艺氧化相邻凹槽间的半导体衬底，形成氧化层；在所述凹槽内填充满牺牲层材料后，在半导体衬底，以及牺牲层材料表面形成器件材料层；刻蚀器件材料层，在所述器件材料层内形成通孔，露出部分牺牲层材料或氧化层后，向通孔内通入蚀刻剂，以去除各凹槽内的牺牲层和各凹槽间的氧化层，从而将各个凹槽打通，在半导体衬底内形成空腔。上述技术方案中，所述牺牲层材料以及各凹槽间的氧化层一同支撑空腔区上方的器件材料层。因而即使凹槽内的牺牲层间出现空洞等情况，也具有足够的支撑力，从而避免器件材料层出现形变等缺陷的出现。