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氮化物半导体发光元件和装置及其制造方法
编号:S000018288 刷新日期: 有效日期至:2021-01-05 浏览:2026 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:科技服务
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明提供一种氮化物半导体发光元件、氮化物半导体发光装置以及氮化物半导体发光元件的制造方法。该氮化物半导体发光装置包括氮化物半导体发光元件、封装基板和透光的树脂密封部分。该氮化物半导体发光元件包括基板、具有发光层的氮化物半导体多层部分以及保护层。氮化物半导体多层部分设置在基板上。保护层设置在氮化物半导体多层部分的上部上。树脂密封部分密封安装在封装基板上的氮化物半导体发光元件。气隙层形成在氮化物半导体发光元件中的基板和发光层之间的区域、氮化物半导体发光元件中的发光层和保护层之间的区域以及封装基板中的区域至少之一中。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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