本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及半导体薄膜的测量系统，用于较准确的测量出半导体薄膜的特性参数。使用本发明实施例提供的半导体薄膜的测量系统，通过在半导体薄膜的上方和下方分别构成电容板，由上下电容板之间的电容等可以确定出半导体薄膜的电容，进而根据其他可测量参数确定出相对介电常数等。而且，可以在半导体薄膜的不同区域分别设置上电容板，通过确定出的若干个半导体薄膜的电容，可以判断出半导体薄膜的均匀性是否良好。