本发明的目的在于，提供能够相对于绝缘膜的开口中心无偏差地形成场电极构造的半导体装置的制造方法。本申请的发明的半导体装置的制造方法的特征在于，具备：在半导体层的表面形成绝缘膜的工序；在该绝缘膜的表面形成具有开口的抗蚀剂的工序；使与该抗蚀剂进行交联反应的图案收缩剂附着在该抗蚀剂、在该抗蚀剂的内周形成硬化层的工序；以该抗蚀剂及该硬化层作为掩模蚀刻该绝缘膜的工序；除去该硬化层的工序；在该半导体层、该绝缘膜以及该抗蚀剂的表面形成金属层的工序；以及通过剥离法除去该抗蚀剂及该抗蚀剂的表面的该金属层的工序。