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> 技术详情
半导体器件的制造方法
编号:S000018274
刷新日期:
有效日期至:
2020-10-24
浏览:
2394
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 -
技术领域:
智能制造 - 装备制造业
转让类型:
技术转让
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
本发明提供一种半导体器件的制造方法,其通过使来自热时效处理温度的冷却速度适当,能够提高半导体芯片的表面电极与金属丝的接合部的可靠性。在将添加Ni的铝金属丝(10)键合在半导体芯片(5)的Al-Si电极膜(表面电极7)之后,在300℃以下的高温下进行热时效处理,然后,按照1℃/min以下的冷却速度进行逐渐冷却,由此能够除去键合时的加工应变,抑制热时效处理后的冷却时所导入的热应变,从而能够提供具有高可靠性的半导体器件(100)。
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机构地址:
No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
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