一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底；在所述衬底表面形成介质层；在所述介质层上形成氮化硼层；刻蚀所述氮化硼层和介质层，至露出衬底，形成开口；对所述开口两侧的氮化硼层进行回刻，增大开口上方的宽度；于所述开口内填充满金属层。本发明半导体结构的形成方法通过回刻氮化硼层增大半导体结构中开口的宽度，以利于开口中金属层的填充，避免所形成的金属层内包含空洞，提高了所形成半导体器件的电学性能。