本发明公开了一种半导体结构，具有位在电容器导电材料和半导体底材间的导电阻挡层。导电阻挡层又被包围电容器导电材料的电介质层围绕，且直接接触电容器导电材料和半导体底材。导电阻挡层作为电连接电容器导电材料和半导体底材的缩减埋藏式连接带结构。