一种半导体结构的制作方法，包括：在半导体衬底的PMOS、NMOS晶体管区域上形成第一、第二栅叠层结构，其包括栅介电层、栅极层、第一、第二硬掩模，在其相对两侧形成侧墙；在衬底的预形成PMOS晶体管源漏的区域形成SiGe应力源层，然后去除第二硬掩模；在PMOS、NMOS晶体管源漏区域上形成硅化物，然后同步去除残余的金属接触材料层及第一硬掩模；对第一、第二栅叠层结构两侧的侧墙进行刻蚀，使其厚度减薄。制作过程中，不会造成由于侧墙被刻蚀之前栅极层上方硬掩模厚度不一致引起的PMOS、NMOS晶体管源漏上的硅化物被过多的刻蚀、或者在后续的化学机械研磨工艺中硬掩模被过多的研磨造成晶体管栅极高度减小的问题。