本发明关于一种半导体覆晶接合结构及方法。该半导体覆晶接合结构包括一第一半导体元件、一第一介金属化合物、一第二半导体元件、一第二介金属化合物及一焊料层。该第一介金属化合物邻接于该第一半导体元件的金属柱。该第二介金属化合物邻接于该第二半导体元件的电性接点。该焊料层位于该第一介金属化合物及该第二介金属化合物之间。藉此，可有效提高可靠度。