本发明公开一种半导体器件制造方法，包括多个功能层的介质层的积淀步骤、接触孔或通孔的形成步骤以及金属层的形成步骤，所述接触孔或通孔形成步骤和金属层的形成步骤中，包括对介质层和金属层上与刻号标记光刻对应的区域进行光刻曝光的步骤，在至少一个功能层上，所述对与刻号标记光刻对应的区域进行光刻曝光的步骤仅针对所述金属层。还公开一种采用上述方法得到的半导体器件。所述方法及器件既不影响刻号标记的读取，也能够避免刻号标记附近区域聚焦缺陷的问题。