本发明公开一种用以形成特定图形特征的半导体制作工艺，其步骤包含：在一基底上形成一目标层、一硬掩模层、以及多个等间隔排列的内核体，于该些内核体的侧壁形成间隙壁体，去除该些内核体使得该些间隙壁体在该硬掩模层上呈间隔排列，以该些间隙壁体为掩模图形化该硬掩模层，去除一预定区域外的硬掩模体，分别在该预定区域最两侧的数个该硬掩模体上覆盖一光致抗蚀剂，最后，以该光致抗蚀剂与剩余的硬掩模体为掩模图形化该目标层。